Mechanics of Materials Laboratory
磁控濺鍍系統 此濺鍍系統採用渦輪分子幫浦,其背景真空值可維持在5 x 10^-7 torr以下,系統內配有兩支三吋濺鍍靶槍(RF, DC各一),其角度、高度皆可調整, 試片載座能慢速旋轉,全載盤可加偏壓。升溫使用石英燈管式加熱器,可加熱達400度C以上。 本設備並有load-lock腔體,可使主腔體維持在高真空環境,只須破load-lock腔體抽換試片,提升製程效率。
磁控濺鍍系統
此濺鍍系統採用渦輪分子幫浦,其背景真空值可維持在5 x 10^-7 torr以下,系統內配有兩支三吋濺鍍靶槍(RF, DC各一),其角度、高度皆可調整, 試片載座能慢速旋轉,全載盤可加偏壓。升溫使用石英燈管式加熱器,可加熱達400度C以上。 本設備並有load-lock腔體,可使主腔體維持在高真空環境,只須破load-lock腔體抽換試片,提升製程效率。